涌融优配传三星通知客户：停产DDR4

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来源：内容来自工商时报，谢谢。

全球记忆体市场进入剧烈变动期！据业界消息指出，三星电子已正式通知客户，将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产（EOL，End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单（Last Buy Order,LBO），预计最迟于10月前完成出货。

业者分析，主要是因为因为中国大陆低阶手机采用的LPDDR4，已被陆厂拿走订单，三星未来将会更聚焦LPDDR5以上的高阶产品。

此举也宣告DRAM产品结构再度洗牌，并反映韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高频宽记忆体（HBM）与DDR5。

台系记忆体厂因主力产品放在DDR4，法人预期，有望受惠于三星停产DDR4的动作。

业界人士指出，早在数月前，已传出三星有意停产部分DDR4产品，主要原因包括：一、为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线；二、陆厂持续扩张DDR4产能，并采取低价抢市策略，导致市场竞争加剧与利润压缩。

此外，全球市场亦受到地缘政治因素干扰涌融优配，美国总统川普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32％关税。

虽然晶圆与裸晶型态HBM、DDR与NAND不在此波课税清单中，但终端模组产品需求恐将受到压抑，进一步拖累全球消费性记忆体市场表现。

根据研究机构最新预测，在中立情境下，2025年全球记忆体位元需求年增率，将自原先预估的12.8％下修至4.8％；而熊市情境更下探至3.5％。

NAND市场方面，尽管目前现货价格已逼近制造成本，好在原厂启动10％～20％的产能调节计划，仍能维持获利与价格稳定。

另一方面，陆厂积极进军高阶记忆体市场，给传统巨头带来挑战。

目前全球DRAM与NAND资本支出维持保守，整体供应链将面对来自中国大陆厂商的激烈竞争与美国对等关税政策风险升温。

整体而言，业者认为，记忆体市场短期价格将由备货与供给收缩支撑，但中长期仍需关注中国大陆扩产进度、美国关税政策走向及原厂资本支出策略。

此前报道：两大厂将停产

此前，报道指出，受到中国制造商的影响，动态随机存取记忆体（DRAM）的制造商美光、三星和SK海力士，可能会在今年年底前停止生产DDR3和DDR4记忆体，部分消费性电子的供应可能受到冲击涌融优配，而台厂则可望受惠。

报导说，中国DRAM制造商不断扩增DDR4产量，同时大幅降低价格。去年年底，这两家公司DDR4晶片的售价仅为韩国竞争对手同类产品的一半。

报导说，美光、三星和SK 海力士等记忆体制造商将调整制造结构，可能不再透过销售DDR4来赚取利润，并且逐渐淘汰DDR4，转向专注制造更有利可图的DDR5和HBM。

不过，报导说，DDR4的需求相当强劲，中国制造商虽然销量巨大，但他们的产能可能无法满足市场，一旦美光、三星和SK海力士停止为现货市场生产DDR3和DDR4，预期在2025年中，部分入门级PC和消费性电子产品的供应，可能因DDR4短缺而受到影响。

报导说，台湾厂商可望受惠，因为部分客户不会选择中国制造的DRAM，可能转而向台厂购买专用记忆体。

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